مقاله تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا با word دارای 8 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله تهیه وریستورهای پایه اکسید روی با پوشش های عایق دما بالا با word :
سال انتشار: 1383
محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس بین المللی برق
تعداد صفحات: 8
چکیده:
پوشش عایق سطح جانبی در وریستورهای اکسید روی به صورت ترموست، لعاب یا پوششهای سرامیکی قابل اعمال می باشند . در پوششهای سربی مرسوم که بر روی قرص زینتر شده اعمال می گردند، با وجود دمای زینتر پایین، دو سیکل حرارتی مجزا مورد نیاز است . از طرف دیگر بخاطر سمی بودن ترکیبات سربی و مشکلات فریت سازی ، همواره حذف سرب از اجزاء پوشش مورد نظر بوده است . مزیت رده جدید پوششهای مورد استفاده، یعنی پوشش های دما بالا، در اعمال دوغاب بر روی نمونه خام و پخت همزمان پوشش و بدنه در همان درجه حرارت زینتر بدنه ZnO میباشد که صرفه اقتصادی و زمانی را به دنبال خواهد داشت . در این مقاله، تهیه و اعمال پوششهای بر پایه SiO2 و Fe2O3 ارائه شده و همچنین تاثیر افزودن Bi2O3 ، B2O3 و Al2O3 بر خواص فیزیکی و الکتریکی پوشش قرصهای بهینه سازی شده، مورد بررسی قرار گرفته است . نتایج نشان میدهد که تمامی پوشش های تهیه شده ازواکنش پذیری خوبی با سطح بدنه برخوردارمی باشند . تصاویرحاصل از SEM پوشش ها وبدنه بهینه سازی شده نیز نتایج خوبی از نظر واکنش پذیری پوشش و بدنه و وجود تخلخل در نمونه ها ارائه می دهد .
- ۹۵/۱۱/۲۹